薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)

薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)

已經(jīng)廣泛被著名高等學(xué)府（如：Harvard University 2套，Stanford University，Johns Hopkins University，Brown University 2套，Karlsruhe Research Center,Max Planck Institute，西安交通大學(xué)，中國計(jì)量科學(xué)研究院，中科院微系統(tǒng)研究所，上海光機(jī)所等）、半導(dǎo)體和微電子制造商（如IBM.，Seagate Research Center,Phillips Semiconductor,NEC，Nissan ARC,Nichia Glass Corporation）等所采用；

薄膜熱應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)

同類設(shè)備：
               薄膜應(yīng)力測(cè)試儀（kSA MOS 薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力計(jì)）；
               薄膜殘余應(yīng)力測(cè)試儀；
               實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS)；

技術(shù)參數(shù)：
kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester, kSA MOS Film Stress Measurement System，kSA MOS Film Stress Mapping System;
  1.變溫設(shè)計(jì)：采用真空和低壓氣體保護(hù)，溫度范圍RT~1000°C；
  2.曲率分辨率：100km；
  3.XY雙向程序控制掃描平臺(tái)掃描范圍：up to 300mm（可選）；
  4.XY雙向掃描速度：up to 20mm/s；
  5.XY雙向掃描平臺(tái)掃描步進(jìn)/分辨率：2 μm ；
  6.樣品holder兼容：50mm, 75mm, 100mm, 150mm, 200mm, and 300mm直徑樣品；
  7.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全樣品掃描；
  8.成像功能：樣品表面2D曲率、應(yīng)力成像，及3D成像分析；
  9.測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、應(yīng)力強(qiáng)度、應(yīng)力、Bow和翹曲等；
  10.溫度均勻度：優(yōu)于±2攝氏度；

主要特點(diǎn)：
  1.技術(shù)：MOS多光束技術(shù)（二維激光陣列）；
  2.變溫設(shè)計(jì)：采用真空和低壓氣體保護(hù)，溫度范圍RT~1000°C；
  3.樣品快速熱處理功能；
  4.樣品快速冷卻處理功能；
  5.溫度閉環(huán)控制功能，保證溫度均勻性和精度;
  6.實(shí)時(shí)應(yīng)力VS.溫度曲線；
  7.實(shí)時(shí)曲率VS.溫度曲線；
  8.程序化控制掃描模式：選定區(qū)域、多點(diǎn)線性掃描、全樣品掃描；
  9.成像功能：樣品表面2D曲率成像，定量薄膜應(yīng)力成像分析；
  10.測(cè)量功能：曲率、曲率半徑、薄膜應(yīng)力、薄膜應(yīng)力分布和翹曲等；
  11.氣體（氮?dú)狻鍤夂脱鯕獾龋〥elivery系統(tǒng)；

玻璃上鍍SiN應(yīng)力測(cè)試結(jié)果350°C

玻璃上鍍SiN曲率測(cè)試結(jié)果80°C

玻璃上鍍SiN曲率測(cè)試結(jié)果350°C

同類設(shè)備
    • 薄膜應(yīng)力測(cè)試儀（kSA MOS 薄膜應(yīng)力測(cè)量系統(tǒng)，薄膜應(yīng)力計(jì)）
    • 薄膜殘余應(yīng)力測(cè)試儀
    • 實(shí)時(shí)原位薄膜應(yīng)力儀(kSA MOS)

    • kSA MOS Thermal-Scan Film Stress Tester

    • kSA MOS Film Stress Measurement System

    • kSA MOS Film Stress Mapping System